台积电将使用GAA技术与2nm技术

2020-09-25 17:19   来源: 互联网    阅读次数:3855

据业内人士称,台积电未来的 2 纳米工艺将使用 gaa 技术,目前该技术的开发速度快于预期。尽管三星已经计划在 2021 年 3 纳米节点(批量生产)上改用 gaa 技术,但台积电表示,其 3 纳米节点将继续使用 FinFET 工艺,而基于 gaa 的 2NM 节点将于 2023 年下半年开始批量生产。


然而,台积电远远领先于韩国竞争对手,大多数芯片制造商希望在 2021 年苹果之后采用 5 纳米工艺。据消息来源称,5nm 节点的回报率甚至比现有的 7nm 工艺要好。另一方面,3nm 工艺将在 2022 年下半年大规模生产。台积电似乎相信,其 5nm 和 3nm 节点将足以与三星的 3 nm GAA 工艺相抗衡。

台积电的优势在于,它将继续是苹果的主要铸造合作伙伴,直到 2 nmGAA 节点,该节点得到共同开发的智能手机制造商的全力支持。


FinFET 晶体管:在这里,通过施加电荷,当场效应晶体管(FET) 打开时,栅极允许电流从源流流向流。


如果你想知道 GAA 有什么大不了的,那它更多的是因为你缩小了晶体管的电流泄漏。通常,当你打开晶体管时,电流只在晶体管的源管和漏管之间流动。然而,如果你的栅极长度低于某个限制,即使晶体管被关闭,电流也会在电源之间并排流动。


如上所示,中间门从三面覆盖源排水口。这是一个三维结构,如上图所示。这是一个侧面图。当使用 GAA 时,门(以下紫色)覆盖了所有四面的源和排水通道,从而进一步减少了泄漏。




责任编辑:萤莹香草钟
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